Si晶体基片
产品概述:
化学符号为Si,主要用途有:制作半导体器件、红外光学器件及太阳能电池衬底等材料
免责声明: 本站产品介绍内容(包括产品图片、产品描述、技术参数等)仅用于宣传用途,仅供参考。由于更新不及时和网站不可预知的BUG可能会造成数据与实物的偏差,请勿复制或者截图。如果您对参数有异议,或者想了解产品详细信息及更多参数,请与本公司销售人员联系。本站提供的信息不构成任何要约或承诺,请勿将此参数用于招标文件或者合同,科晶公司会不定期完善和修改网站任何信息,恕不另行通知,请您谅解。 如果您需要下载产品的电子版技术文档,说明书(在线阅览),装箱单,与售后安装条件等文件,请点击上方的附件下载模块中选取。商城产品仅针对大陆地区客户,购买前请与工作人员沟通,以免给您带来不便。
技术参数产品视频实验案例警示/应用提示配件详情
产品名称

Si 单晶基片


技术参数

晶体结构:               

立方晶系

晶格常数:

a=5.4301 Å 

掺杂类型:

N型不掺杂、N型掺P、N型掺As、N型掺Sb、P型掺B       

硬度(mohs):

6.5

电阻率:

10000~0.001Ω.cm

超导率(w/m.k):

149

密度:

2.329(g/cm3)

熔点:

1414℃

热膨胀系数(/k):

2.6×10-6

生长方法:

CZ和FZ



产品规格

常规晶向:                     

 

常规尺寸:

Dia4”x0.5mm、dia2”x0.5mm        

抛光情况:

单抛、双抛、细磨

抛光面粗糙度:

< 10A

注:尺寸及方向可按照客户要求定做。



晶体缺陷

人工生长单晶都可能存在晶体内部缺陷



标准包装

1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装


免责声明: 本站产品介绍内容(包括产品图片、产品描述、技术参数等)仅用于宣传用途,仅供参考。由于更新不及时和网站不可预知的BUG可能会造成数据与实物的偏差,请勿复制或者截图。如果您对参数有异议,或者想了解产品详细信息及更多参数,请与本公司销售人员联系。本站提供的信息不构成任何要约或承诺,请勿将此参数用于招标文件或者合同,科晶公司会不定期完善和修改网站任何信息,恕不另行通知,请您谅解。 如果您需要下载产品的电子版技术文档,说明书(在线阅览),装箱单,与售后安装条件等文件,请点击上方的附件下载模块中选取。商城产品仅针对大陆地区客户,购买前请与工作人员沟通,以免给您带来不便。
附件

Copyright © 2019 开云官网 版权所有 皖ICP备09007391号-1     皖公网安备 34012302000974号

在线产品展示

设备销售咨询

晶体销售咨询

售后咨询