NdGaO3晶体
产品概述:
NdGaO3是近十年中发展起来的新型基片,主要用作高温超导体(如YBCO)及磁性材料的外延薄膜生长用基片。由于NdGaO3与YBCO的晶格失配很小(~0.27%),且无结构相变,在NdGaO3基片上可外延生长质量良好的薄膜。
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技术参数产品视频实验案例警示/应用提示配件详情
产品名称

镓酸钕(NdGaO3)晶体基片


技术参数

晶体结构:

正交晶系

晶格常数:

a=5.43 Å  b=5.50 Å  c=7.71Å  

密度:

7.57 g/cm3

熔点:

1600 °C

硬度:

5.9 Mohs

介电常数:

<20在300k

生长方法:

提拉法


产品规格

常规晶向: 

<100>、<001>、<110>、<010>

公差:

±0.5°

常规尺寸:

10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm,5x5x0.5mm

抛光情况:

单抛 、双抛

粗糙度:

<5A

注:可根据客户需求提供特殊的尺寸和方向;


晶体缺陷

人工生长单晶有可能存在晶体内部缺陷



标准包装

1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装


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