1200℃三温区HPCVD系统
关键字:
连续共沉积源进料系统 可同时依次推进3种原料
型号:
OTF-1200X-III-HPCVD-SE
产品概述:
OTF-1200X-III-HPCVD-SE是一款HPCVD(物理/化学混合气相沉积)系统,带有独特的原料推进系统和1350℃原位蒸发枪。原料推进系统和同时/依次将3种反应原料推入到炉管中(可设定推入位置和推进速度),以达到适合的蒸发温度。温度可控型原位蒸发枪,最高温度可达1350℃,也可多固体原料原位蒸发。所以此系统可对4种固体或液体源供蒸发。此设备适合各种HPCVD实验,特别适用于制备多层二维晶体材料。操作面板为PLC触摸屏,用户可设置进料速度,进料位置及实时监测蒸发原料的温度。
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技术参数产品视频实验案例警示/应用提示配件详情
炉体结构

独特的原料推进系统可在真空或气氛保护环境下同时/依次推进3种原料进入到管式炉中(并可实时监测其温度),温度可控型原位蒸发枪,最高温度可达1350℃,适合用HPCVD法生长多层膜

 

·炉体为三温区开启式管式炉,由三个独立的温控系统控制每个温区,其控温精度可达±0.1

 

·双层壳体结构,并带有风冷系统

 

·采用氧化铝纤维作为炉膛材料,表面涂有高温氧化铝涂层,可提高加热效率,和延长使用寿命

 

·炉体开启式设计,便于跟换炉管,并且带有开启断电功能,保证操作安全

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电源要求

·单相208~240VAC

 

·最大功率9KW(需60A的空气开关)


加热区

·三个加热区,每个加热区长度:300mm

 

·总加热区长度:900mm


恒温区

恒温区长度:625mm(±2℃)

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(三个温区设置同样的加热温度)


工作温度

·最高工作温度:1200℃(<1hr

 

·连续工作温度:100~1100


升温速率

 10°C /min


原料推进系统&蒸发枪

独特的原料推进系统可在真空或气氛保护环境下同时/依次推进3种原料进入到管式炉中(并可实时监测其温度),利用推送系统可将3个不同蒸发源同时/依次送入3个独立的小石英管中,精确地找到所需温度,保证实验精确性和重复性

 

·蒸发枪:采用钨线圈加热,氧化铝坩埚装料,其最高温度可达1350℃,控温精度±1

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坩埚移动控制

·坩埚的移动速度和移动距离通过步进电机驱动,可设定控制

 

·最大移动距离: 530mm (精度1mm


沉积样品台

·特殊设计样品台,带有手动遮挡板,放置原料交替试导致所制备样品污染

 

·可手动调节样品台在炉管中的位置

 

·可选择水平样品台,或倾斜式样品台

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温度控制系统

·三个温区由三个独立的温控系统控制,采用PID方式调节温度,可设置50段升降温程序

 

·欧陆仪表控制,控温精度可达±0.1℃

 

·带有超温和断偶报警

 

·三个K型热偶(每个温区1个)

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管式炉配置

·炉管,采用高纯石英管,尺寸为Φ130(外)mm×Φ122(内)mm×1200mm(长)

 

·配有2个氧化铝管堵,防止热辐射(加热前管堵必须放入到炉管内)

 

·可选购石英管堵,保证反应环境洁净

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真空计

·防腐型复合真空计(皮拉尼和隔膜规)

 

·测量范围:3.8E-5 ~ 1125 torr


真空泵&真空度

·真空度:10E-2 torr(采用机械泵),10-E5 torr(采用分子泵)

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可在本公司选用各种真空泵


气体流量控制系统

配有4通道气体流量控制系统,采用触摸屏设定参数

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循环水冷机

设备采用水冷不锈钢密封法兰,所以配有循环水冷机

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设备尺寸

4000×600×1500m

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国家专利

专利名称:一种多样品多通道自动切换进样系统

 

专利号:ZL 2016 1 0396131.5

 

尊重创新、鄙视抄袭、侵权必究


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