布里奇曼技术是一种生长单晶锭或单晶花束的方法。 它是一种常用的生产某些半导体晶体的方法，如砷化镓、II-V晶体(ZnSe, CdS, CdTe)和BGO，其中提拉过程更困难，该方法涉及容器中加热多熔点以上的多晶材料，并从子晶所在的一端缓慢冷却。 单晶材料沿容器的长度逐渐形成。 该过程可以沿水平或垂直方向进行。