基片清洗：

 Si 衬底会被氧化要使用 RCA化学法清洗，相对 GGG 衬底要更复杂。

 Si 基片的清洗流程如下：

1、去除表面的有机物，利用丙酮溶液清洗。先把基片切割成合适大小，以正面朝上放入倒入丙酮的烧杯中，丙酮不宜过多，能淹没基片就行。之后将烧杯放入超声波清洗器中清洗15分钟。

2、将残留的丙酮去除，利用无水乙醇清洗。将用丙酮清洗过的基片取出，用另一个烧杯倒入适量无水乙醇，同样要注意把基片正面朝上放入超声清洗15分钟。

3、除去残留的无水乙醇，利用去离子水清洗。将第二部清洗过的基片放入去离子水中，注意事项如上，超声清洗 15 分钟。

4、无机物清洗，利用去离子水，氨水，过氧化氢（5：1：1）配成溶液清洗。上一步清洗后的基片放入配好的溶液，80℃下清洗十分钟。取出马上用去离子水冲洗。

5、离子清洗，利用去离子水，过氧化氢，盐酸（5：1：1）配成溶液清洗。基片正面朝上放入溶液，同样80℃下清洗十分钟。取出用去离子水冲洗。

6、除去氧化层，利用稀释的氢氟酸清洗。在溶液中清洗约一分钟，取出用去离子水清洗。最后用高压氮气吹干装在基片台上。

 GGG 基片则简单得多，只需要用丙酮，无水乙醇，去离子水按顺序清洗，注意事项和Si 基片清洗相同，都清洗15分钟，最后吹干装好可以了

内容摘至《高性能YIG靶材及薄膜的制备与性能的研究》