（1）真空度

磁控溅射需在一定真空度下进行，高于或低于此真空度均不能溅射，且磁控溅射处于低气压时溅射粒子能量较高，高气压时溅射粒子能量较低，不同工作气压下沉积的薄膜质量差异较大。

（2）O₂流量

    O₂流量的大小对制备高质量的Al₂O₃薄膜十分重要，低O₂流量下制备的薄膜纯度较低，绝缘性差，高O₂流量制备的薄膜O原子含量高，薄膜质量差。

（3）本底真空度

不同本底真空溅射Al₂O₃薄膜时薄膜质量和沉积速率差异较大，高本底真空溅射薄膜，沉积速率快，杂质气体较少，但是恢复真空时间长，低本底真空压强沉积速率慢，但是恢复真空时间短。

（4）直流溅射功率

直流磁控溅射制备Al₂O₃薄膜时，溅射靶功率影响溅射速率、沉积速率和薄膜质量等参数；溅射靶功率较低时薄膜沉积速率较低，溅射靶功率较高时会出现靶中毒现象且靶材尺寸会限制溅射靶功率大小。

（5）射频溅射功率

射频溅射制备Al₂O₃薄膜时，溅射靶功率越大其溅射速率越大，但不无限增加溅射靶功率。虽然射频溅射不会出现靶中毒现象，但射频溅射靶材加载功率过高，反射功率就会异常增大，将对溅射设备造成损坏。

内容摘自《直流、射频磁控溅射制备Al2O3薄膜工艺探索及其性能的研究》