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Si晶体基片
- 产品概述:
- 化学符号为Si,主要用途有:制作半导体器件、红外光学器件及太阳能电池衬底等材料
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技术参数产品视频实验案例警示/应用提示配件详情
产品名称
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Si 单晶基片
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技术参数
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晶体结构: | 立方晶系 | 晶格常数: | a=5.4301 Å | 掺杂类型: | N型不掺杂、N型掺P、N型掺As、N型掺Sb、P型掺B | 硬度(mohs): | 6.5 | 电阻率: | 10000~0.001Ω.cm | 超导率(w/m.k): | 149 | 密度: | 2.329(g/cm3) | 熔点: | 1414℃ | 热膨胀系数(/k): | 2.6×10-6 | 生长方法: | CZ和FZ |
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产品规格
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常规晶向: | 、、 | 常规尺寸: | Dia4”x0.5mm、dia2”x0.5mm | 抛光情况: | 单抛、双抛、细磨 | 抛光面粗糙度: | < 10A | 注:尺寸及方向可按照客户要求定做。 |
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晶体缺陷
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人工生长单晶都可能存在晶体内部缺陷。
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标准包装
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1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装
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