GaSb晶体
产品概述:
GaSb单晶由于其晶格常数与带系在 0.8~4.3um宽光谱范围内的各种三元和四元,III-V族化合物固熔体的晶格常数匹配,因为GaSb可以作为衬底材料用作制备适合某些红外光纤传输的激光器和探测器,GaSb也被预见具有晶格限制迁移率大于GaAs,使得它在制作微波器件方面具有潜在的应用前景。
免责声明: 本站产品介绍内容(包括产品图片、产品描述、技术参数等)仅用于宣传用途,仅供参考。由于更新不及时和网站不可预知的BUG可能会造成数据与实物的偏差,请勿复制或者截图。如果您对参数有异议,或者想了解产品详细信息及更多参数,请与本公司销售人员联系。本站提供的信息不构成任何要约或承诺,请勿将此参数用于招标文件或者合同,科晶公司会不定期完善和修改网站任何信息,恕不另行通知,请您谅解。 如果您需要下载产品的电子版技术文档,说明书(在线阅览),装箱单,与售后安装条件等文件,请点击上方的附件下载模块中选取。商城产品仅针对大陆地区客户,购买前请与工作人员沟通,以免给您带来不便。
技术参数产品视频实验案例警示/应用提示配件详情
产品名称

锑化镓(GaSb)晶体基片

技术参数

晶体结构:                     

立方晶系

晶格常数:

6.095Å

硬度(Mohs)

4.5

密度:

5.619 g/cm3

熔点:

710℃

介电常数

15.7

热膨胀系数:

6.1×10-6/oK

热导率:

270 mW / cm.k at 300K

掺杂类型:

N型掺Te;P型不掺杂

载流子浓度:

1-2x1017    1-5x1016   1-5x1018  2-6x1017     1-5x1016

位错密度:

<103 cm-2

生长方法:

LEC 

产品规格

常规晶向:                     

(100)、(110)、(111)

常规尺寸:

dia2"x0.5mm、10x10x0.5mm、10x5x0.5mm                 

抛光情况:

单抛

表面粗糙度:

<15A

注:尺寸及方向可按照客户要求定做。

晶体缺陷

人工生长单晶有可能存在晶体内部缺陷。

标准包装

1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装

免责声明: 本站产品介绍内容(包括产品图片、产品描述、技术参数等)仅用于宣传用途,仅供参考。由于更新不及时和网站不可预知的BUG可能会造成数据与实物的偏差,请勿复制或者截图。如果您对参数有异议,或者想了解产品详细信息及更多参数,请与本公司销售人员联系。本站提供的信息不构成任何要约或承诺,请勿将此参数用于招标文件或者合同,科晶公司会不定期完善和修改网站任何信息,恕不另行通知,请您谅解。 如果您需要下载产品的电子版技术文档,说明书(在线阅览),装箱单,与售后安装条件等文件,请点击上方的附件下载模块中选取。商城产品仅针对大陆地区客户,购买前请与工作人员沟通,以免给您带来不便。
附件

Copyright © 2019 开云官网 版权所有 皖ICP备09007391号-1     皖公网安备 34012302000974号

在线产品展示

设备销售咨询

晶体销售咨询

售后咨询