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Ge晶体
- 产品概述:
- Ge 主要用途有:制作半导体器件、红外光学器件及太阳能电池衬底等材料。
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技术参数产品视频实验案例警示/应用提示配件详情
产品名称
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Ge晶体基片 |
技术参数
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晶体结构: | 立方晶系 | 晶格常数: | 5.6754 Å | 密度: | 5.323 g/cm3 | 熔点: | 937.4 ℃ | 介电常数: | 16.2 | 热导率(w/m·k): | 60.2 | 掺杂物质: | 不掺杂;掺Sb;掺In或Ga; | 类型: | N型 和 P型 | 电阻率 W·cm: | >35 0.05 0.05-0.1 | EPD: | < 4x103/cm2 < 4x103/cm2 < 4x103/cm2 | 生长方法: | 直拉法 |
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产品规格
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常规晶向: | <100>、<110>、<111> | 晶向公差: | ±0.5° | 常规尺寸: | 10x10x0.5mm,10x5x0.5mm,dia2",dia3" | 抛光情况: | 单抛、双抛 | 表面粗糙度: | < 5A | 注:尺寸及方向可按照客户要求定做。 |
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晶体缺陷
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人工生长单晶有可能存在晶体内部缺陷。 |
标准包装
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1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装 |
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