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PMN-PT晶体
- 产品概述：
- 用改进的Bridgman法生长出了高质量的大尺寸弛豫铁电单晶PMNT，该单晶具有优异的压电性能、非线性光学性能和热释电性能，不仅可以满足应用需要成为新一代高性能压电换能器、非线性光学器件和光电探测器件(如红外探测器)的核心材料，而且还为广大的科研人员提供了良好的研究载体，欢迎国内外各科研院所和公司企业定购我们的单晶产品，进行相关的科学研究及器件研发和生产。
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如果您需要下载产品的电子版技术文档，说明书（在线阅览），装箱单，与售后安装条件等文件，请点击上方的附件下载模块中选取。商城产品仅针对大陆地区客户，购买前请与工作人员沟通，以免给您带来不便。
技术参数产品视频实验案例警示/应用提示配件详情
| 产品名称
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PMN-PT晶体基片
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| 技术参数
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晶体结构： | 赝立方晶系 | 晶格常数： | a=~4.024 Å | 密度： | 8.1 g/cm3 | 熔点： | 1280°C | 硬度： | 3.5mohs | | 热膨胀系数 | 10.4x10-6/K | 耦合常数： | k33(longitudinal mode) >92% kt(thickness mode) 59-62% k33'(beam mode) 84-88% | 压电系数d33 ： | >2000 pC/N | 介电常数e(at 1kHz after poling) ： | 4000 – 6000 | 介电损耗： | tan d<0.9 | 居里温度 ： | 135-150°C | 生长方法： | 坩埚下降法 |
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| 产品规格
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常规晶向： | | 晶向公差： | ±0.5° | 常规尺寸： | 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm，5x5x0.5mm | 抛光情况： | 单抛、双抛、细磨 | 抛光面粗糙度： | Ra<15A （单晶内部有畴） |
注：尺寸及方向可按照客户要求定做。
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| 晶体缺陷
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人工金属单晶存在常见晶体缺陷等。
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| 标准包装：
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1000级超净室，100级超净袋封装
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