氮化镓(GaN)晶体基片
产品概述:
GaN易与AlN、InN等构成混晶,能制成各种异质结构,已经得到了低温下迁移率达到105cm2/Vs的2-DEG(因为2-DEG面密度较高,有效地屏蔽了光学声子散射、电离杂质散射和压电散射等因素).科晶公司将为您提供高品质低价位的氮化镓晶体和基片。
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技术参数

制作方法:

HVPE(氢化物气象外延法)

传导类型:

N型;半绝缘型

电阻率:

R<0.05 Ω.cm; R

表面粗糙度:

<0.5nm

位错密度:

<5x106Ω.cm

可用表面积:

>90%

TTV:

≤15um

Bow:

≤20um

产品规格

晶体方向: 

注:可按照客户要求加工尺寸及方向。

标准包装

1000级超净室100级超净袋或单片盒装

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