InZnO晶体基片
产品概述:
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技术参数

 晶体结构

六方   a= 3.252A ,  c = 5.313A

 生长方法

Melt

 硬度

4 moh scale

 密度

~5.0 g/cm3

 熔点

1975 oC

 带隙

3.37 eV

 比热容

0.125 cal/gm

 传导性

N type

 电阻率

0.04 ohm-cm  +/-  factor of 2 , N type

 导热系数

0.006 cal/cm/ oK

 热膨胀系数

2.90 x 10-6/oK

 位错密度

< 4 x 104 /cm2

 表面粗糙度

< 5 A

 厚度

0.35mm;  0.50mm  and  1.0mm


产品规格

常规晶向:氧化锌 <0001> , N+ type, 掺杂;

常规尺寸:Ф25.4× 0.3mm、10x10 mm 、5 x 5 mm ;

厚度: 0.35 mm,  0.5 mm   and 1.0 mm ;

掺杂浓度: > 4E18 cm^-3;

电阻率:小于1 × 10 ^ -3Ω.cm;

注:可根据客户需求定制特殊的方向和大小

标准包装

1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装

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