- 加热炉设备
- 晶体及材料
- 破碎/球磨设备
- 压片设备
- 辊压设备
- 切割设备
- 磨抛设备
- 清洗设备
- 电池研发设备
- 薄膜制备
- 配件
- 其它实验室设备
免责声明：
本站产品介绍内容（包括产品图片、产品描述、技术参数等）仅用于宣传用途，仅供参考。由于更新不及时和网站不可预知的BUG可能会造成数据与实物的偏差，请勿复制或者截图。如果您对参数有异议，或者想了解产品详细信息及更多参数，请与本公司销售人员联系。本站提供的信息不构成任何要约或承诺，请勿将此参数用于招标文件或者合同，科晶公司会不定期完善和修改网站任何信息，恕不另行通知，请您谅解。
如果您需要下载产品的电子版技术文档，说明书（在线阅览），装箱单，与售后安装条件等文件，请点击上方的附件下载模块中选取。商城产品仅针对大陆地区客户，购买前请与工作人员沟通，以免给您带来不便。
技术参数产品视频实验案例警示/应用提示配件详情
| 技术参数
|
晶胞结构 | 六方 | 晶格常数 | a =3.08 Å c = 15.08 Å | 排列次序 | ABCACB (6H) | 生长方法 | MOCVD | 方向 | 生长轴或偏(0001) 3.5° | 抛光 | Si面抛光 | 带隙 | 2.93 eV (间接) | 导电类型 | N | 电阻率 | 0.076 ohm-cm | 介电常数 | e(11) = e(22) = 9.66 e(33) = 10.33 | 热导率@300K | 5 W / cm . K | 硬度 | 9.2 Mohs |
|
| 产品规格
|
常规晶向： <0001>； 掺杂类型： 6H N型 表示专门掺N的，掺杂浓度10E18-10E19； 4H N型 或者半绝缘；
常规尺寸：dia2"x0.33mm、dia2"x0.43mm； dia3"x0.35mm、10x10mm、10x5mm; 抛光情况：单抛或双抛，Ra<10A； 我司现可供应<10-10>和<11-20>,10x10x0.3mm，单抛 一种低电阻率（0.01~0.1 ohm.cm)，一种是高电阻率（>10^5 ohm.cm)
|
| 标准包装
|
1000级超净室100级超净袋或单片盒封装 |
免责声明：
本站产品介绍内容（包括产品图片、产品描述、技术参数等）仅用于宣传用途，仅供参考。由于更新不及时和网站不可预知的BUG可能会造成数据与实物的偏差，请勿复制或者截图。如果您对参数有异议，或者想了解产品详细信息及更多参数，请与本公司销售人员联系。本站提供的信息不构成任何要约或承诺，请勿将此参数用于招标文件或者合同，科晶公司会不定期完善和修改网站任何信息，恕不另行通知，请您谅解。
如果您需要下载产品的电子版技术文档，说明书（在线阅览），装箱单，与售后安装条件等文件，请点击上方的附件下载模块中选取。商城产品仅针对大陆地区客户，购买前请与工作人员沟通，以免给您带来不便。
查看诚信档案
皖公网安备 34012302000974号
