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带有预热系统的滑动PECVD
- 型号:
- OTF-1200X-50-II-4CV-PE-MSL
- 产品概述:
- OTF-1200X-50-II-4CV-PE-MSL是一款双温区的PECVD管式炉系统,组成部分为500W的射频发生器、滑动速度可控的双温区滑轨炉,预热炉(作用为使固体原料蒸发)和德国进口的无油泵。此款PECVD对于生长纳米线或用CVD方法来制作各种薄膜是一款新的探索工具。
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技术参数产品视频实验案例警示/应用提示配件详情
设备名称
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带有预热系统的滑动PECVD—OTF-1200X-50-II-4CV-PE-MSL (2019.12.11—科晶实验室审核) |
产品提示
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1、多种配件可选提示 2、特殊设备尺寸设备 3、科晶实验室邀请提示 4、配件妥善保管提示 |
产品特点
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▪ 与普通CVD相比较,其沉积温度大大降低,减少了高温对薄膜的损坏; ▪ 可通过炉体滑动来达到快速升温和快速降温的效果; ▪ 炉体有两个温区,可在炉体内形成温度梯度,两个温区最大温差为400℃; ▪ 带有预热炉,气体可通过此炉预热也可将液体蒸发气化或固体原料升华后与气体原料混合。 |
加热炉参数
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▪ 连续工作最高温度为1100℃ ▪ 两个PID温度控制器及50段可编程温控系统,控温精度:±1℃;两个温区最大温差为:400℃ ▪ 内炉膛表面涂有美国进口的1760度高温氧化铝涂层,可以提高设备加热效率及反射率,同时延长仪器的使用寿命。(点击图片查看详细资料) ▪ 工作电源:208-240V AC单相,最大功率:4KW
更多参数请联系科晶销售部 |
预热炉参数
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▪ 最高温度:1100℃; ▪ PID温度控制器及50段可编程温控系统,控温精度:±1℃; ▪ 气体通过等离子射频电源前,先通过预热炉,也可将固体和液体原料放在预热炉中,气化后与气体原料相混合
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电动滑轨
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▪ 可将电动滑轨安装在炉体下端,将炉体滑动,以达到快速升温和快速降温的效果 ▪ 滑动速度:0-70 mm/s(可调) |
升降温速率
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▪ RS485接口和控温软件可安装在炉体内,将控温程序和温度曲线导入电脑中(仪器中不包含,客户需额外出费用在本公司购买) ▪ 为获得最大的升温速率,可将炉体升温到设定温度,然后将炉体滑到样品放置区
加热速率 | 冷却速率 | 15°C/sec (RT - 150°C) | 15°C/sec (1000 - 950°C) | 10°C/sec (150°C - 250°C) | 10°C/sec (950°C - 900°C) | 7°C/sec (250°C - 350°C) | 7°C/sec (900°C - 850°C) | 4°C/sec (350°C - 500°C) | 4°C/sec (850°C - 750°C) | 3°C/sec (350°C - 550°C) | 2°C/sec (750°C - 600°C) | 2°C/sec (550°C - 650°C) | 1.5°C/sec (600°C - 500°C) | 1°C/sec (650°C - 800°C) | 1°C/sec (500°C - 400°C) | 0.5°C/sec (800°C - 1000°C) | 0.5°C/sec (400°C - 300°C) |
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射频电源
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▪ 科晶公司现有不同功率的射频电源可供选择,以满足不同实验条件的需求。
| 300W射频电源 | 500W射频电源 | 100W射频电源 | 输出功率 | 0-300W可调 (稳定性:±1%) | 0-500W可调 (稳定性:±1%) | 0-100W可调 (稳定性:±1%) | 射频频率 | 13.56 MHz (稳定性:±0.5%) | 13.56 MHz (稳定性:±0.5%) | 13.56 MHz (稳定性:±0.5%) | 匹配 | 自动匹配 | 自动匹配 | 手动匹配 | 噪音 | <50dB | <50dB | <50dB | 冷却方式 | 风冷 | 风冷 | 风冷 | 输入电压 | AC180-250V | AC108-250V | AC110-240V | 图片 |
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真空系统
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▪ 采用TRP-12的双旋真空泵; ▪ KF25卡箍及波纹管用于连接管式炉与真空泵; ▪ 真空度可达10-2Torr。
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供气系统
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▪ 四通道质子流量计控制系统可实现气体流量的精确控制(精确度:±0.02%); ▪ 流量范围: 一路 | 0-100 sccm | 二路 | 0-200 sccm | 三路 | 0-200 sccm | 四路 | 0-500 sccm |
▪ 电压:208-240V, AC, 50/60Hz; ▪ 气体进出口配件:6mm OD的聚四氟管或不锈钢管; ▪ 不锈钢针阀用于手动控制气体进出; ▪ PLC触摸屏可以简便地进行气体流量设置。
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产品尺寸和重量
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▪ 炉体尺寸:550mm L ´380mm W´520mm H ▪ 滑轨长度:1750 mm ▪ 净重:220 Lbs |
认证
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▪ 如您另外付费,我们可以保证单台仪器的TUV(UL61010)或CSA 认证
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承诺
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▪ 一年质保期,终身维护(不包括炉管、硅胶密封圈和加热元件) |
科晶应用技术实验室利用PECVD在不同功率(75W、150W、300W)条件下沉积Sb2Se3薄膜,实验结果如下:
组别 | SEM结果 | 元素百分比 |
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| Sb (%) | Se(%) |
未经任何处理的样品
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| 40.01 | 59.99 |
等离子体处理
|
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| 41.04 | 58.96 |
等离子体处理 min
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| 41.64 | 58.36 |
等离子体处理5 min
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| 41.86 | 58.14 |
小结:
(1)等离子体能改变Sb2Se3薄膜的形貌,同时改变Sb2Se3的组成;
(2)随着射频电源功率的增加,Sb2Se3中的Se百分含量降低。
组别 | SEM结果 | 元素百分比 |
|
| Sb (%) | Se(%) |
10W、条件下沉积Sb2Se3
|
|
| 40.01 | 59.99 |
75W、条件下沉积Sb2Se3
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| 70.28 | 29.72 |
75W、3Pa且补充0.1g Se粉沉积Sb2Se3
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| 43.13 | 56.87 |
75W、且补充2粉末(10%质量比Sb2Se3)沉积Sb2Se3 |
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| Sn: 22.78 Sb: 25.77 | 51.44 |
小结:
(1)低功率等离子体条件下可得到近原子比的Sb2Se3;
(2)高压条件下可得到富Sb的Sb2Se3薄膜;
(3)添加Se会破坏PECVD沉积的Sb2Se3的原子比;
(4)当SnSe2质量比为10%时,可以得到Sb:Sn摩尔比接近于的薄膜,该方法适用于掺杂。
XRD结果
警示 | ▪ 炉管内气压不可高于0.02 MPa; ▪ 由于气瓶内部气压较高,所以向炉管内通入气体时,气瓶上必须安装减压阀,建议在本公司选购减压阀,本公司减压阀量程为0.01MPa-0.1MPa,使用时会更加精确安全; ▪ 石英管的长时间使用温度<1100℃; ▪ 当炉体温度高于1000℃时,炉管内不可处于真空状态,炉管内的气压需和大气压相当,保持在常压状态。 |
应用技术提示 | ▪ 通入炉内气体流量需小于200 sccm,以避免冷的大气流对加热石英管造成冲击; ▪ 加热时,不建议关闭炉管法兰端的抽气阀和进气阀。若需要关闭气阀对样品加热,则需时刻关注压力表的示数,若气压表示数大于0.02 MPa,需立刻打开泄气阀,以防意外发生(如炉管破裂、法兰飞出等)。 |
防腐型真空表 (可选) | ▪ 输入电源24V,1A DC(配有电压转换器); ▪ 测量范围3.8´10-5-1125 Torr; ▪ 数据显示:数显(屏幕尺寸为20´14mm),其单位为torr ▪ 连接:1/8"NPT 接头 ▪ 产品尺寸 46mm×28mm×126mm ( L´W´ H)
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炉管 | ▪ 石英管尺寸:50mm OD´44mm ID´2200mm L
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温仪表 (可选) | ▪ 单回路、双回路和三回路控制模式; ▪ 每个回路可实现双输入,双保护; ▪ 各回路可PID、串级、比率等回路控制; ▪ 数码显示,配备7个按键,可用于进行各控制回路的切换和参数修改; ▪ 最多可存储50个程序,每个程序最多可有3个不同的设定值(即3条不同的曲线),最多可设置500段升降温程序; ▪ 通讯方式多样,Modbus/Profibus DP/DeviceNet/EI-Bisync/RS485通讯接口,可连接PC进行远程控制。
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真空系统 (可选) | ▪ 科晶公司提供一系列低真空、高真空及进口高真空设备,以满足在不同真空条件下的实验需求。
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供气系统 (可选) | ▪ 科晶公司提供各种通道浮子、质子流量计可供选择,以实现气体流量的精确控制。
单通道浮子 | 单通道质子 | 两通道浮子 | 两通道质子 | 多通道浮子 (防腐) |
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