设备名称 | 小型滑动PECVD管式炉系统—OTF-1200X-50S-PE-SL (2019.12.23—科晶实验室审核) |
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产品提示 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
产品特点 | ▪ 射频电源可实现等离子增强从而显著降低实验温度; ▪ 可通过炉体滑动达到快速升温和降温; ▪ 可通过射频电源的频率来控制薄膜的应力; ▪ 可通过工艺调节来控制化学计量; ▪ 可沉积各种材料,如SiOx, SiNx, SiOxNy 和(a-Si:H) 等。 |
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相关视频 | 展示视频 |
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加热炉参数 | ▪ 最高温度:1100℃(<30min);连续工作温度:1000℃; ▪ PID温度控制器及50段可编程温控系统,控温精度:±1℃; ▪ 输入电源:208- 240V AC,功率:1.2KW; ▪ 炉膛保温材料采用高纯氧化铝多晶纤维,并且内炉膛表面涂有美国进口的高温氧化铝涂层,可以提高加热效率, 反射率及延长仪器的使用寿命(点击文字了解涂层的详细参数)。 更多参数请联系科晶销售部 |
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射频电源 | ▪ 科晶公司现有不同功率的射频电源可供选择,以满足不同实验条件的需求。
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真空系统 | ▪ 采用TRP-12的双旋真空泵; ▪ KF25卡箍及波纹管用于连接管式炉与真空泵; ▪ 真空度可达10-2Torr。 |
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供气系统(可选) | ▪ 客户可选购四通道质子流量计控制系统实现气体流量的精确控制(精确度:±0.02%); ▪ 流量范围:
▪ 电压:208-240V, AC, 50/60Hz; ▪ 气体进出口配件:6mm OD的聚四氟管或不锈钢管; ▪ 不锈钢针阀用于手动控制气体进出; ▪ PLC触摸屏可以简便地进行气体流量设置。 |
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产品尺寸和重量 | ▪ 尺寸:1500mm L´600mm W´1200mm H ▪ 净重:160 kg ▪ 运输重量:220 kg |
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认证 | ▪ 如您另外付费,我们可以保证单台仪器的TUV(UL61010)或CSA 认证 |
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承诺 | ▪ 一年质保期,终身维护(不包括炉管、硅胶密封圈和加热元件) |
科晶应用技术实验室利用PECVD在不同功率(75W、150W、300W)条件下沉积Sb2Se3薄膜,实验结果如下:
组别 | SEM结果 | 元素百分比 | ||
Sb(%) | Se(%) | |||
未经任何处理的样品 | 40.01 | 59.99 | ||
75W等离子体处理5 min | 41.04 | 58.96 | ||
150 W等离子体处理5 min | 41.64 | 58.36 | ||
300 W等离子体处理5 min | 41.86 | 58.14 |
小结:
(1)等离子体能改变Sb2Se3薄膜的形貌,同时改变Sb2Se3的组成;
(2)随着射频电源功率的增加,Sb2Se3中的Se百分含量降低。
组别 | SEM结果 | 元素百分比 | ||
Sb(%) | Se(%) | |||
10W、3Pa条件下沉积Sb2Se3 | 40.01 | 59.99 | ||
75W、133Pa条件下沉积Sb2Se3 | 70.28 | 29.72 | ||
75W、3Pa且补充0.1g Se粉沉积Sb2Se3 | 43.13 | 56.87 | ||
75W、3Pa且补充0.02g SnSe2粉末(10%质量比Sb2Se3)沉积Sb2Se3 | Sn: 22.78 Sb: 25.77 | 51.44 |
小结:
(1)低功率等离子体条件下可得到近原子比的Sb2Se3;
(2)高压条件下可得到富Sb的Sb2Se3薄膜;
(3)添加Se会破坏PECVD沉积的Sb2Se3的原子比;
(4)当SnSe2质量比为10%时,可以得到Sb:Sn摩尔比接近于1的薄膜,该方法适用于掺杂。
XRD结果
警示 | ▪ 炉管内气压不可高于0.02 MPa; ▪ 由于气瓶内部气压较高,所以向炉管内通入气体时,气瓶上必须安装减压阀,建议在本公司选购减压阀,本公司减压阀量程为0.01MPa-0.1MPa,使用时会更加精确安全; ▪ 石英管的长时间使用温度<1100℃; ▪ 当炉体温度高于1000℃时,炉管内不可处于真空状态,炉管内的气压需和大气压相当,保持在常压状态; ▪ 射频电源工作时,请勿触碰。 |
应用技术提示 | ▪ 通入炉内气体流量需小于200 sccm,以避免冷的大气流对加热石英管造成冲击; ▪ 加热时,不建议关闭炉管法兰端的抽气阀和进气阀。若需要关闭气阀对样品加热,则需时刻关注压力表的示数,若气压表示数大于0.02 MPa,需立刻打开泄气阀,以防意外发生(如炉管破裂、法兰飞出等)。 ▪ 射频电源在低气压、低功率条件下起辉。 |